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- 型号： MMFZ10T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFZ10T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFZ10T3G价格参考。ON SemiconductorMMFZ10T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFZ10T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFZ10T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFZ10T3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为10 V（容差±5%），额定功率为200 mW，采用SOD-123封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O端口提供稳定10 V基准电压； 2. 过压保护（钳位）：与TVS或串联限流电阻配合，用于保护敏感模拟/数字接口（如RS-232、I²C、GPIO）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损害； 3. 电源轨箝位：在DC-DC转换器反馈网络或LDO输入端实现输出电压限幅，防止异常升压损坏后级器件； 4. 信号电平限制：在音频前置放大、运放输入端等场景中限制信号摆幅，防止饱和或失真； 5. 低成本替代方案：适用于对精度和温度稳定性要求不苛刻的消费电子、家电、工业控制板卡等批量应用。 该器件具有低动态阻抗（约15 Ω）、快速响应（纳秒级）及AEC-Q200认证（部分批次），亦可用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块）。需注意其功率受限，大电流瞬态下建议配合限流电阻使用，并避免长期工作在接近最大功耗条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 10V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFZ10T3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | - |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 10V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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