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- 型号： MMFT1N10ET3
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFT1N10ET3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFT1N10ET3价格参考。ON SemiconductorMMFT1N10ET3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFT1N10ET3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFT1N10ET3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFT1N10ET3 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 4.5Ω @ VGS = 10V）、低阈值电压（VGS(th) 典型值约 1.8V）及小尺寸、低功耗特性。其额定电压为 100V，连续漏极电流 ID 为 180mA（TA = 25°C），适合低压、小电流开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、振动马达控制或传感器供电开关； ✅ 电池供电系统保护与负载切换：用于电池供电的IoT节点中，实现负载的高效通断控制，降低静态功耗； ✅ 信号级模拟开关/逻辑电平转换：因具备低输入电容和快速开关特性，适用于MCU GPIO驱动的小功率负载（如LED指示灯、蜂鸣器、小型继电器驱动）； ✅ DC-DC转换器辅助电路：在升压/降压模块中作使能控制、反馈路径开关或同步整流辅助开关（限于轻载场景）； ✅ 工业与家电中的低功耗传感接口：如温湿度传感器、光敏模块的供电隔离与唤醒控制。 注意：该器件非功率级MOSFET，不适用于电机驱动、大电流负载或高频率PWM主开关等场景。设计时需注意SOT-23封装散热能力有限，建议在ID ≤ 100mA、环境温度≤60°C条件下稳定运行，并合理布局PCB以改善热性能。
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