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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFT1N10ET1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFT1N10ET1价格参考。ON SemiconductorMMFT1N10ET1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMFT1N10ET1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMFT1N10ET1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFT1N10ET1 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-23 表面贴装封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值约 4.5Ω @ Vgs=10V)、低栅极电荷及快速开关特性。其额定电压为 100V,连续漏极电流 ID 为 180mA(Tc=25°C),适合低压、小功率应用场景。 典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的LED驱动、背光控制或负载开关,利用其小尺寸(SOT-23)和低功耗优势; ✅ 电池供电系统保护电路:作为反向电压/反接保护开关,配合限流电阻实现简易防反接功能; ✅ 信号切换与逻辑电平转换:在微控制器(如STM32、ESP32)GPIO驱动能力不足时,用作电平移位或小电流负载(如继电器线圈、小型蜂鸣器、指示LED)的开关驱动; ✅ DC-DC转换器辅助电路:在升压/降压模块中用于使能控制(EN pin 开关)、反馈路径隔离或同步整流辅助开关(需注意电流限制); ✅ 工业传感器接口与IoT节点前端:用于传感器电源的按需启停,降低待机功耗,延长电池寿命。 注意事项:该器件ID额定值较低(非功率级应用),不适用于电机驱动、大电流负载或高频大功率开关场景;设计时需确保Vgs ≥ 4.5V以充分导通,并注意PCB散热及ESD防护。 综上,MMFT1N10ET1 主要面向空间受限、低功耗、中低压(≤100V)、小电流(≤200mA)的智能终端与嵌入式系统中的信号/电源开关应用。