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- 型号： MMFT107T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFT107T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFT107T1价格参考。ON SemiconductorMMFT107T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFT107T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFT107T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFT107T1 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 表面贴装封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值约 1.8Ω @ Vgs=10V）、小尺寸、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5nC）及快速开关特性。其额定参数为：Vds=60V，Id=0.3A（连续），Pd=350mW。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或LED背光/指示灯驱动，利用其小体积与低功耗特性； 2. 电池供电系统保护电路：作为反向电压保护、电池充放电路径控制或过流隔离开关； 3. 信号切换与逻辑电平转换：在微控制器（MCU）I/O口驱动低功率外设（如传感器、小型继电器、蜂鸣器）时，提供电平位移与电流放大功能； 4. DC-DC转换器辅助开关：在升压/降压拓扑中用作同步整流或辅助控制开关（适用于轻载、低频场合）； 5. 工业与家电中的低功耗控制节点：如智能插座、温控器、IoT模块的电源通断控制。 需注意：该器件属低压小电流MOSFET，不适用于大功率开关或高频主功率级应用。设计时应确保栅极驱动电压≥4.5V以充分导通，并考虑PCB散热与ESD防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 250MA SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFT107T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | MMFT107T1OSDKR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 250mA （Tc） |
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