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  • 型号: MMDT4126-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT4126-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT4126-7-F价格参考。Diodes Inc.MMDT4126-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMDT4126-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDT4126-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMDT4126-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的双极结型晶体管(BJT)阵列,采用 SOT-26 封装,内含两个独立的 PNP 晶体管(共发射极配置),具有匹配特性、低饱和电压(VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA)和高直流电流增益(hFE 典型值 300)。其典型应用场景包括:

1. 逻辑电平转换与接口驱动:在 MCU 或 FPGA 与外部负载(如LED、继电器、小功率MOSFET栅极)之间提供反相驱动及电平适配,尤其适用于3.3V/5V系统中需PNP开关控制的场合。

2. 双路低压侧/高压侧开关:常用于电源管理模块中的使能控制、背光调光电路或传感器信号调理前端,实现两路独立但协同工作的开关功能。

3. 差分对/电流镜基础单元:因器件内部配对设计,可用于简易模拟电路(如电流源、有源负载或温度补偿电路),适合对精度要求不苛刻的便携式设备。

4. 电池供电设备中的省电控制:低待机电流(ICEO < 10nA)和快速开关特性,适用于智能穿戴、遥控器、IoT终端等对功耗敏感的应用。

该器件工作结温范围为 –55°C 至 +150°C,符合AEC-Q200(汽车级)标准(部分批次),亦可用于工业控制及消费电子领域。注意:使用时需确保基极限流电阻合理设计,避免过驱动导致饱和不足或热失效。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL PNP 25V 200MA SOT363两极晶体管 - BJT -25V 200mW

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT4126-7-F-

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产品型号

MMDT4126-7-F

PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 2mA,1V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-363

其它名称

MMDT4126-FDITR
MMDT41267F

其它图纸

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 4 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

250 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 PNP(双)

最大功率耗散

0.2 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

25V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

300

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

MMDT4126

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

- 25 V

集电极—基极电压VCBO

- 25 V

集电极—射极饱和电压

- 0.4 V

集电极连续电流

- 0.2 A

频率-跃迁

250MHz

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