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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT4126-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT4126-7-F价格参考。Diodes Inc.MMDT4126-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMDT4126-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDT4126-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT4126-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的双极结型晶体管(BJT)阵列,采用 SOT-26 封装,内含两个独立的 PNP 晶体管(共发射极配置),具有匹配特性、低饱和电压(VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA)和高直流电流增益(hFE 典型值 300)。其典型应用场景包括: 1. 逻辑电平转换与接口驱动:在 MCU 或 FPGA 与外部负载(如LED、继电器、小功率MOSFET栅极)之间提供反相驱动及电平适配,尤其适用于3.3V/5V系统中需PNP开关控制的场合。 2. 双路低压侧/高压侧开关:常用于电源管理模块中的使能控制、背光调光电路或传感器信号调理前端,实现两路独立但协同工作的开关功能。 3. 差分对/电流镜基础单元:因器件内部配对设计,可用于简易模拟电路(如电流源、有源负载或温度补偿电路),适合对精度要求不苛刻的便携式设备。 4. 电池供电设备中的省电控制:低待机电流(ICEO < 10nA)和快速开关特性,适用于智能穿戴、遥控器、IoT终端等对功耗敏感的应用。 该器件工作结温范围为 –55°C 至 +150°C,符合AEC-Q200(汽车级)标准(部分批次),亦可用于工业控制及消费电子领域。注意:使用时需确保基极限流电阻合理设计,避免过驱动导致饱和不足或热失效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 25V 200MA SOT363两极晶体管 - BJT -25V 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT4126-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT4126-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 2mA,1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMDT4126-FDITR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 4 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双) |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MMDT4126 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 25 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.4 V |
| 集电极连续电流 | - 0.2 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz |