Datasheet下载- 型号： MMDL301T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDL301T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDL301T1G价格参考。ON SemiconductorMMDL301T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDL301T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDL301T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDL301T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的射频二极管，属于二极管 - 射频分类。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 射频开关：MMDL301T1G 适用于射频信号的切换应用，例如在无线通信设备中实现天线共享或信号路径选择。其低电容和快速响应特性使其非常适合高频环境下的开关功能。 2. 射频混频器：该二极管可用于射频混频器设计，帮助将不同频率的信号混合以生成新的频率分量。这种应用场景常见于无线电接收器、发射器以及雷达系统中。 3. 检波器：MMDL301T1G 可用作射频信号的检波器，将高频射频信号转换为直流或低频信号，用于功率检测、信号强度测量等用途。 4. 倍频器：通过非线性特性，该二极管可以用来生成输入信号的高次谐波，从而实现频率倍增功能，广泛应用于微波和毫米波通信系统中。 5. 调制与解调：在调幅（AM）或其他形式的调制/解调电路中，MMDL301T1G 能够提供高效且稳定的性能，支持高质量的数据传输和信号处理。 6. 保护电路：由于其良好的反向恢复特性，此二极管还可以用作射频电路中的保护元件，防止过压或瞬态电压对敏感组件造成损害。 综上所述，MMDL301T1G 主要应用于高频射频领域，包括通信设备、无线模块、雷达系统及测试测量仪器等，能够满足高性能、低损耗和高可靠性的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOD-323肖特基二极管与整流器 30V 200mW Single |
| 产品分类 | RF 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MMDL301T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDL301T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 If、F时的电阻 | - |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1.5pF @ 15V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 - 单 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Diodes- Schottky |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | MMDL301T1GOSDKR |
| 功率耗散（最大值） | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 封装/箱体 | SOD-323 |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 0.2 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.6 V at 0.01 A |
| 电压-峰值反向（最大值） | 30V |
| 电流-最大值 | - |
| 系列 | MMDL301 |
| 配置 | Single |
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