Datasheet下载- 型号： MMDFS6N303R2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDFS6N303R2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDFS6N303R2价格参考。ON SemiconductorMMDFS6N303R2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDFS6N303R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDFS6N303R2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDFS6N303R2 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.0 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID可达120A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率BLDC电机控制器（如风机、泵、电动工具），支持高频PWM开关与快速关断； - 电池管理系统（BMS）：用作充放电主回路保护开关或均衡开关，得益于低Rds(on)和强雪崩耐量（UIS额定）； - 负载开关与热插拔电路：集成栅极ESD保护与低阈值特性，便于配合驱动IC实现软启动与过流保护； - LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动中作为PWM调光开关，响应快、损耗小。 该器件支持10V标准驱动，兼容主流栅极驱动器，并通过AEC-Q101认证（部分版本），亦可用于车规级辅助系统（如车身控制模块）。其紧凑封装与高功率密度特别适合空间受限、高能效要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMDFS6N303R2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FETKY™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MMDFS6N303R2OS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
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