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  • 型号: MMDF6N02HDR2
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF6N02HDR2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF6N02HDR2价格参考。ON SemiconductorMMDF6N02HDR2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMDF6N02HDR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDF6N02HDR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMDF6N02HDR2 是安森美(onsemi)推出的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-23 封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值 0.12Ω @ Vgs=10V)、小尺寸、高开关速度及良好热稳定性。其额定电压为 25V,连续漏极电流 ID 为 600mA(Tc=25°C),适用于低压、小功率、空间受限的场景。

典型应用场景包括:  
✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的LED驱动、背光控制或负载开关,利用其低功耗与快速开关特性实现高效启停控制;  
✅ 电池供电系统保护电路:用于电池充放电路径中的反向阻断、过流/短路保护开关(配合限流IC使用);  
✅ DC-DC转换器次级侧同步整流:在微型升压/降压模块(如PMIC周边)中替代肖特基二极管,提升转换效率;  
✅ 逻辑电平接口与信号切换:兼容3.3V/5V MCU GPIO直接驱动,常用于I/O扩展、传感器使能控制、蜂鸣器/小电机驱动等低电流开关应用;  
✅ 消费类家电辅助电路:如智能插座、LED灯控板、遥控器内部电源通断控制等对成本与体积敏感的场合。

注意:该器件为单个MOSFET,非双通道或集成驱动,设计时需确保栅极驱动能力充足(避免振荡),并合理布局散热路径(SOT-23功耗有限,建议ID峰值≤1A且占空比可控)。不适用于大电流、高压或高功率主开关场景。
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