Datasheet下载- 型号： MMDF3N04HDR2G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF3N04HDR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF3N04HDR2G价格参考。ON SemiconductorMMDF3N04HDR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDF3N04HDR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDF3N04HDR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDF3N04HDR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS=10V）、高开关速度和优良的热稳定性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器中，作为上下桥臂开关，提升转换效率（尤其适用于12V输入、3.3V/5V输出的POL电源模块）； 2. 电机驱动：适用于小型直流有刷电机或步进电机的H桥驱动电路，支持PWM调速与方向控制； 3. 负载开关与电源管理：在便携式设备（如打印机、POS终端、工业传感器）中用作双路独立电源开关，实现外设供电的智能启停与功耗优化； 4. LED驱动与背光控制：配合恒流源用于中等功率LED阵列的调光与分组控制； 5. 电池供电系统保护：配合控制IC实现过流/短路保护及反向电流阻断功能。 该器件具备雪崩耐量（Avalanche Rated），适合中低压（VDS=40V）、中电流（ID=3.5A连续）的紧凑型设计，特别适用于空间受限且对能效与可靠性要求较高的工业控制、消费电子及汽车电子（非安全关键系统）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 3.4A 40V 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMDF3N04HDR2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 32V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MMDF3N04HDR2GOSDKR |
| 功率-最大值 | 1.39W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A |
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