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- 型号： MMDF2N02ER2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF2N02ER2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF2N02ER2G价格参考。ON SemiconductorMMDF2N02ER2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDF2N02ER2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDF2N02ER2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDF2N02ER2G 是安森美（onsemi）推出的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 SOT-363 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 0.15Ω @ Vgs=4.5V）、小尺寸、高集成度及逻辑电平驱动特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED 背光控制或传感器供电通断控制，利用双 MOSFET 实现冗余/分时供电或正负向驱动。 - DC-DC 转换器辅助电路：在同步降压转换器中用作低侧开关（需配合外置高侧器件），或用于多路输出的后级电压调节与使能控制。 - 电池保护与充放电管理：在单节锂离子/聚合物电池应用中，构成充放电路径的双开关结构（如防反接、充放电隔离），提升系统安全性与能效。 - 接口电平转换与信号切换：在 I²C、GPIO 等低速数字总线中实现双向电平移位或信号选通（利用MOSFET的体二极管与栅控特性）。 - 电机/执行器微驱动：适用于小型振动马达、电磁阀等低功率负载的PWM调速或启停控制，双通道可支持H桥简易配置（需外部互补驱动逻辑）。 该器件不适用于大电流主功率开关（连续ID仅0.27A），设计时需注意热管理与PCB散热。其高集成度显著节省PCB面积，适合空间受限的紧凑型设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHAN DUAL 2A 25V 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMDF2N02ER2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 532pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MMDF2N02ER2GOS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A |
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