Datasheet下载- 型号： MMBZ9V1AL-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ9V1AL-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ9V1AL-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ9V1AL-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ9V1AL-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ9V1AL-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ9V1AL-7-F 是德州仪器（Texas Instruments）出品的一款双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路的静电放电（ESD）防护和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为9.1 V，钳位电压低、响应时间快（<1 ns），封装为SOT-23（小外形晶体管），适合空间受限的便携式电子设备。 典型应用场景包括： - USB接口保护：用于Type-A/B/C端口的数据线（D+/D−）及电源线（VBUS），抵御人体静电（±15 kV接触放电，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准）； - 通信接口防护：如RS-232、RS-485、CAN总线等工业接口的信号线，防止雷击感应或开关噪声引起的浪涌； - 便携设备输入/输出端口：智能手机、平板电脑、TWS耳机等的音频接口（MIC/LINE IN）、按键、传感器I/O引脚； - 电源输入端初级防护：与大能量MOV或GDT配合，作为二级精细保护器件，用于3.3 V/5 V电源轨（如LDO输入侧），抑制开关电源噪声或热插拔尖峰。 该器件具有低漏电流（<1 μA @ 7.5 V）、高ESD耐受能力（IEC 61000-4-2 ±30 kV空气/±30 kV接触），且双向对称特性使其无需区分极性，简化设计。适用于消费电子、工业控制、汽车电子（非安全关键系统）及物联网终端等对可靠性与小型化要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 6VWM 14VC SOT23-3TVS二极管阵列 9.1V 225mW |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,Diodes Incorporated MMBZ9V1AL-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ9V1AL-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBZ9V1AL-FDICT |
| 击穿电压 | 9.1 V |
| 功率-峰值脉冲 | 24W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 尺寸 | 2.9 mm W x 1.3 mm L x 1 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 1.7 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 24 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C （TJ） |
| 工作电压 | 6 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 8.65V |
| 电压-反向关态（典型值） | 6V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 14V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1.7A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | MMBZ9V |
| 通道 | 2 Channels |
| 钳位电压 | 14 V |
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