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- 型号： MMBZ6V2ALT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ6V2ALT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ6V2ALT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ6V2ALT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ6V2ALT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ6V2ALT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ6V2ALT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路的静电放电（ESD）防护和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为6.2 V，钳位电压低（约10.5 V @ 1 A），响应时间小于1 ns，封装为SOT-23（小型表面贴装），适合高密度PCB设计。 典型应用场景包括： - 通信接口保护：如USB 2.0、RS-232/485、CAN总线等端口的ESD及浪涌防护； - 便携式电子设备：智能手机、平板电脑、可穿戴设备中对GPIO、按键、触摸屏信号线的ESD防护（符合IEC 61000-4-2 Level 4 ±15 kV空气放电标准）； - 汽车电子：用于车载信息娱乐系统、传感器接口（如LIN总线）等低压信号路径的瞬态抑制； - 工业控制：PLC I/O模块、传感器前端电路中抵御感应开关噪声或雷击耦合引起的快速瞬变。 该器件工作温度范围宽（–65°C 至 +150°C），可靠性高，适用于需紧凑封装与强ESD鲁棒性的场合。注意：需配合合理布局（TVS尽量靠近被保护引脚、接地路径短而低阻）以发挥最佳防护效果。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 3VWM 8.7VC SOT23 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ6V2ALT1 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ6V2ALT1OSCT |
| 功率-峰值脉冲 | 24W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工具箱 | /product-detail/zh/Q2026231/ZENESDA-KIT-ND/700368 |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-击穿（最小值） | 5.89V |
| 电压-反向关态（典型值） | 3V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 8.7V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 2.76A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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