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- 型号： MMBZ5267BLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5267BLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5267BLT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5267BLT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5267BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5267BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5267BLT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的单颗齐纳二极管，标称稳压值为100 V（容差±5%），最大功率耗散为225 mW（SOT-23封装），最大反向电流IZT为1.7 mA，动态阻抗典型值约400 Ω。其主要应用场景包括： 1. 过压保护与钳位：常用于电源输入端或敏感信号线（如通信接口、传感器模拟输入）中，配合TVS或限流电阻，将瞬态高压（如ESD、浪涌）钳位在安全电压范围，防止后级IC损坏。 2. 基准电压源：在低功耗、非精密场合（如电池供电设备的简易电压检测电路），可提供相对稳定的100 V参考点，用于比较器阈值设定或分压反馈。 3. 浪涌吸收与箝位电路：适用于继电器线圈、电感负载关断时产生的反向电动势抑制，或与MOSFET栅极驱动电路配合，限制栅极电压不超过额定值。 4. 辅助电源稳压：在高压小电流辅助电源（如工业控制板的偏置电源）中，作为简单低成本的稳压元件，为光耦、高压启动电路等提供稳定偏置。 需注意：该器件稳压精度和温度稳定性有限（TC约+0.075%/°C），不适用于高精度基准；实际应用中须严格校核功耗（P = VZ × IZ），避免超温失效，并建议加限流电阻以控制工作电流。典型设计中常与陶瓷电容并联以改善高频响应。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 75V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5267BLT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 56V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 75V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 270 欧姆 |
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