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MMBZ5263BLT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5263BLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5263BLT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5263BLT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 56V 225mW ±5% 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBZ5263BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5263BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBZ5263BLT1G是一款表面贴装的齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别,采用SOD-123封装。该器件的齐纳电压典型值为75V(测试电流下),功率耗散能力为200mW,具有低动态阻抗和良好的热稳定性,适用于需要精确电压钳位和稳压的场合。 其主要应用场景包括: 1. 电源电路保护:用于过压保护(OVP)电路中,防止瞬态高压或浪涌电压损坏敏感元器件,常见于DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源系统。 2. 信号线路保护:在通信接口(如USB、RS232、GPIO等)中作为ESD(静电放电)保护元件,吸收瞬时高能脉冲,提升系统可靠性。 3. 电压参考源:在低功耗模拟电路中提供稳定的参考电压,适用于传感器信号调理、ADC基准等对精度要求不高的场景。 4. 消费类电子产品:广泛应用于手机、平板、智能家居设备等小型化电子产品中,因其小尺寸封装适合高密度PCB布局。 5. 工业控制与汽车电子:用于车载模块或工控设备中的电压箝位和电源监控电路,满足AEC-Q101可靠性标准(部分版本),具备良好环境适应性。 MMBZ5263BLT1G以高可靠性、小体积和符合RoHS环保要求的特点,成为便携式和高集成度电子设备中理想的电压保护与稳压解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 56V 225MW SOT23-3稳压二极管 56V 225mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5263BLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5263BLT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 43V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ5263BLT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 150 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 56V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5263B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 150 欧姆 |
| 齐纳电压 | 56 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |