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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5262ELT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5262ELT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ5262ELT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5262ELT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5262ELT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5262ELT1 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为51 V(容差±5%),功率为300 mW(SOT-23封装),最大测试电流IZT为2.0 mA,动态阻抗典型值约150 Ω。其主要应用场景包括: 1. 过压保护(OVP):常用于电源输入端或敏感模拟/数字电路前级,配合TVS或限流电阻,钳位瞬态高压(如ESD、浪涌),防止后级IC损坏; 2. 基准电压源:在低功耗、非精密场合(如电池供电传感器、简易比较器电路)中提供51 V参考点,适用于对温漂和精度要求不苛刻的系统; 3. 电压箝位与电平转换:在信号调理电路中限制信号幅值,或实现高压侧逻辑电平适配; 4. 反馈环路稳压:在小功率离线式AC-DC适配器或DC-DC模块中,辅助构建初级侧稳压反馈(如配合光耦),提升待机效率与稳定性。 需注意:该器件未集成温度补偿,长期高精度稳压建议选用带隙基准;实际应用中应确保功耗不超过额定值(避免热失效),并预留足够裕量应对温度变化及容差叠加。典型工作电流推荐1–5 mA以兼顾稳定性与功耗。