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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5261C-G3-08
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5261C-G3-08由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5261C-G3-08价格参考。VishayMMBZ5261C-G3-08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5261C-G3-08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5261C-G3-08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5261C-G3-08 是 Vishay（威世）生产的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为 51 V（典型值），容差 ±5%，最大功率耗散为 250 mW（SOT-23 封装），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 过压保护电路：常用于电源输入端或敏感IC（如MCU、传感器接口）前端，配合限流电阻实现钳位保护，防止瞬态高压（如ESD、浪涌）损坏后级器件。 ✅ 电压基准参考：在精度要求不苛刻的模拟电路中（如简易稳压源、比较器阈值设定、ADC参考分压网络），提供稳定51 V基准点。 ✅ 浪涌抑制与箝位：在工业控制、通信接口（如RS-485收发器供电侧）或继电器线圈反电动势吸收回路中，作为TVS替代方案（适用于低能量脉冲）。 ✅ 电池管理系统（BMS）辅助监测：用于多节串联锂电池组的分压检测电路中，对特定节点电压进行稳压限幅，保障采样安全。 注意：该器件非TVS专用，不适用于高能量雷击防护；使用时需严格计算功耗（I×V≤250mW），并确保散热条件满足SOT-23封装限制。推荐搭配适当限流电阻，并注意PCB布局以降低寄生电感影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 2% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5261C-G3-08 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
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