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- 型号： MMBZ5261BLT3
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5261BLT3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5261BLT3价格参考。ON SemiconductorMMBZ5261BLT3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5261BLT3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5261BLT3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5261BLT3 是安森美（ON Semiconductor）推出的单颗齐纳二极管，标称稳压值为75 V（容差±5%），功率额定值为225 mW（SOT-23封装），最大稳定电流约3 mA，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：常用于电源输入端或敏感信号线（如通信接口、传感器模拟前端），在瞬态电压（如ESD、EFT或开关噪声）超过75 V时导通分流，保护后级IC（如MCU、ADC、运放）免受损坏。 2. 基准电压源：在低功耗、非精密场合（如电池供电设备的阈值检测、简易稳压反馈）中，提供相对稳定的75 V参考点，配合电阻分压实现电压监测或比较功能。 3. 浪涌抑制辅助元件：与TVS或压敏电阻协同使用，构成多级防护，承担中等能量钳位任务，提升系统EMC可靠性（如工业控制板、汽车电子模块中的12 V/24 V系统间接高压监测回路）。 4. LED驱动或电容充电限压：在恒流LED串驱动中限制反向峰值电压；或在RC延时/定时电路中设定电容充电上限，防止过压失效。 需注意：该器件不适用于主电源稳压（因功率和电流能力有限），设计时应校核功耗（P = Vz × Iz）、确保工作电流在0.25–3 mA推荐范围内，并考虑SOT-23封装的散热限制。典型应用需搭配限流电阻并留足安全裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 47V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5261BLT3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 36V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 47V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 105 欧姆 |
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