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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5261BLT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5261BLT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5261BLT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ5261BLT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5261BLT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5261BLT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5261BLT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为51 V（容差±5%），最大功率耗散为350 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 过压保护：常用于电源输入端或敏感IC引脚前，作为瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，配合TVS或RC吸收电路，钳位浪涌或ESD引起的异常高压（如雷击感应、开关噪声），防止后级电路损坏。 2. 电压基准与参考：在低功耗、非精密场合（如电池电压监测、简单反馈环路）中提供稳定参考电压，适用于对温漂和长期稳定性要求不高的便携式设备或工业传感器前端。 3. 稳压限幅电路：在信号调理或模拟前端中，用于限制运放输出、ADC输入或MCU GPIO电压范围，防止超量程损坏。 4. 电源轨箝位：在DC-DC转换器次级侧或LDO输出端，抑制因负载突变或电感反冲导致的电压尖峰，提升系统可靠性。 需注意：该器件为通用型齐纳管，非高精度基准源，温度系数约−0.07%/°C，工作电流建议维持在1–20 mA以兼顾稳压性能与功耗。设计时应校核功耗（P = Vz × Iz）、结温及PCB散热能力，并避免长期工作在最大额定值边缘。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 47V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5261BLT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 36V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5261BLT1OSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 47V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 105 欧姆 |
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