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产品简介:
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MMBZ5257ELT1 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为68 V(典型),容差±5%,最大功率耗散为250 mW(SOT-23封装)。其主要应用场景包括: 1. 过压保护与钳位电路:常用于电源输入端或敏感信号线(如通信接口、传感器输出)中,作为瞬态电压抑制(TVS)辅助器件,配合TVS或MOV限制异常高压,防止后级IC(如MCU、ADC)损坏。 2. 基准电压源:在低精度、低成本要求的模拟电路中(如简易稳压器、比较器参考端),提供相对稳定的68 V基准,适用于非关键性电压监测或阈值设定。 3. 浪涌与ESD防护协同设计:在工业控制板、汽车电子模块(如车身控制单元BCM外围电路)中,与主TVS并联使用,分担高频/低能量瞬变应力,提升系统鲁棒性。 4. 反馈环路电压箝位:在开关电源(如反激式适配器)的光耦反馈或VCC绕组稳压环节,防止启动或异常时偏置电压过高,保护光耦或控制器。 需注意:该器件额定功率较小,不适用于持续大电流稳压;实际应用中应结合限流电阻设计,并考虑温度对稳压值的影响(TC约+0.07%/°C)。典型工作电流建议控制在1–10 mA范围内以兼顾稳定性与寿命。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 33V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5257ELT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 25V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ5257ELT1OS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 33V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 58 欧姆 |