Datasheet下载- 型号： MMBZ5257BW-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5257BW-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5257BW-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5257BW-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5257BW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5257BW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5257BW-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款单齐纳二极管，其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电压稳压 - MMBZ5257BW-7-F 的齐纳击穿电压为 6.8V（典型值），非常适合用于电路中的电压稳压。它能够将输出电压稳定在特定的数值范围内，适用于低功耗设备中的参考电压生成。 - 示例：为运算放大器、比较器或其他模拟电路提供稳定的基准电压。 2. 过压保护 - 在电源输入或信号线中，该齐纳二极管可以用于防止过高的电压损坏敏感器件。当输入电压超过齐纳电压时，二极管会导通并将电压钳位到安全水平。 - 示例：保护 USB 接口、传感器输入端或通信线路免受瞬态高压冲击。 3. 信号电平转换 - 在数字或模拟信号传输中，齐纳二极管可用于调整信号电平，确保信号幅度符合接收端的要求。 - 示例：将 TTL 信号转换为 CMOS 兼容电平。 4. 浪涌抑制 - 该器件的小型 SOD-123FL 封装使其适合用于空间受限的设计，同时具备一定的浪涌吸收能力，可有效抑制电路中的瞬态电压尖峰。 - 示例：在开关电源或继电器控制电路中，抑制感性负载引起的电压尖峰。 5. 温度补偿电路 - 齐纳二极管的温度特性可以通过与其他元件（如普通二极管或电阻）组合来实现温度补偿，从而提高电路的稳定性。 - 示例：在精密测量或电源管理系统中，用于改善温度漂移性能。 特点总结： - 小型封装：SOD-123FL 封装节省空间，适合便携式和高密度设计。 - 低功率应用：最大功耗为 500mW（@ Ta=25°C），适用于低功耗场景。 - 高可靠性：Diodes Incorporated 的产品以高质量和稳定性著称，适合工业级和消费级应用。 总之，MMBZ5257BW-7-F 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域，特别是在需要电压稳压、过压保护和信号处理的场合中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 33V 200MW SOT323稳压二极管 200MW 33V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5257BW-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5257BW-7-F |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 25V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | MMBZ5257BW-FDICT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 58 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5257B |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 58 欧姆 |
| 齐纳电压 | 33 V |
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