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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5256C-HE3-08
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5256C-HE3-08由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5256C-HE3-08价格参考。VishayMMBZ5256C-HE3-08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5256C-HE3-08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5256C-HE3-08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5256C-HE3-08 是 Vishay（威世）生产的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为 39 V（容差 ±5%），最大功率 300 mW，采用 SOT-23 封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器供电中，为ADC参考源、运放偏置等提供稳定39V基准（需配合限流电阻使用）； 2. 过压保护（OVP）：并联于敏感电路（如MCU I/O口、通信接口）前端，当输入电压异常升高至39V左右时导通分流，配合TVS或保险丝实现二级防护； 3. 电平钳位与信号整形：在工业控制或汽车电子中，用于限制信号摆幅（如CAN总线收发器辅助保护、电源反馈环路中的电压箝位）； 4. 电源反馈回路：在小功率开关电源（如AC-DC适配器次级侧）中，与光耦配合构成稳压反馈网络； 5. 电池管理系统（BMS）：用于单节或多节串联锂电池组的电压监测与均衡参考点设定（需注意39V适用于高压模组分压采样场景）。 该器件具备低泄漏电流（IR ≤ 100 nA @ 31.2 V）、良好温度稳定性及AEC-Q200认证（符合汽车级可靠性要求），因此也适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性和小型化有要求的场合。注意：实际应用中须严格核算功耗、散热及动态响应，避免持续工作在额定功率极限。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 2% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5256C-HE3-08 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
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