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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5256BTS-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5256BTS-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5256BTS-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5256BTS-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5256BTS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5256BTS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5256BTS-7-F 是 Diodes Incorporated（品牌为“Diodes”）推出的双齐纳二极管阵列，属于“二极管 - 齐纳 - 阵列”类别。其典型齐纳电压为27V（容差±5%），采用SOT-23-3封装，内部集成两个独立、反向串联的齐纳二极管（背对背结构），支持双向过压钳位。 主要应用场景包括： 1. ESD（静电放电）保护：常用于USB、HDMI、音频接口、按钮/开关等低速信号线，提供±27V双向钳位，吸收瞬态浪涌能量（IEC 61000-4-2 Level 4兼容）； 2. 电源轨稳压与过压抑制：在3.3V/5V系统中配合TVS或LDO使用，辅助稳定参考电压或限制异常电压尖峰； 3. 传感器信号调理电路：保护运放输入端免受反接、感应电压或ESD损伤； 4. 工业控制I/O端口防护：适用于PLC数字输入、编码器信号线等需双向限幅的场合； 5. 消费电子内部板级防护：如TWS耳机充电检测、电池管理IC的电压监测引脚保护。 其小尺寸、低泄漏电流（≤1μA @ 23.8V）、快速响应（ns级）及高可靠性，使其特别适合空间受限、需双向对称保护的便携式与嵌入式设备。注意：该器件非主功率TVS，不适用于大能量雷击防护，应配合前端限流电阻协同设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER TRIPLE 30V SOT363 |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5256BTS-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 23V |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 30V |
| 配置 | 3 个独立式 |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 49 欧姆 |
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