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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5252C-HE3-08
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5252C-HE3-08由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5252C-HE3-08价格参考。VishayMMBZ5252C-HE3-08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5252C-HE3-08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5252C-HE3-08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5252C-HE3-08 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 推出的一款表面贴装（SMD）齐纳二极管，标称稳压值为6.8 V（容差±5%），额定功率为250 mW（典型值），采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗便携式设备（如传感器模块、IoT终端、可穿戴设备）中，为ADC参考源、MCU复位电路或模拟前端提供稳定基准电压。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用于保护敏感IC（如USB接口、GPIO引脚、通信收发器）免受瞬态浪涌或ESD冲击，尤其适用于空间受限的消费电子与工业控制板卡。 3. 电源轨钳位：在LDO输出端或DC-DC转换器反馈路径中作精密钳位，抑制纹波或异常电压尖峰，提升系统可靠性。 4. 信号电平限制/整形：在模拟信号调理电路中限制输入信号幅值（如音频前置放大器输入级），防止后级器件饱和或损坏。 该器件具备低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.05%/°C）及AEC-Q200兼容性（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制、信息娱乐外围电路）。需注意：其功率有限，不适用于大电流稳压场景，设计时应严格校核功耗（P = Vz × Iz）并留足降额余量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 2% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5252C-HE3-08 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
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