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  • 型号: MMBZ5245ELT3G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5245ELT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5245ELT3G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5245ELT3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5245ELT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5245ELT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5245ELT3G是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为15 V(容差±5%),最大功率耗散为200 mW,采用SOT-23封装。其典型应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O端口提供稳定的15 V基准电压,适用于便携式设备、IoT节点等对尺寸和功耗敏感的场合。

2. 过压保护(Clamping):并联于敏感信号线或电源轨(如12 V系统),当瞬态电压超过15 V时导通泄放能量,配合TVS或限流电阻,保护后级MCU、通信接口(如RS-232、CAN收发器)免受ESD或浪涌冲击。

3. 电平转换与箝位:在逻辑电平适配电路中,将高于15 V的信号箝位至安全范围,防止损坏3.3 V/5 V器件;亦用于运算放大器输入保护或反馈环路中的电压限制。

4. 电源监控与检测:配合分压电阻构成简易欠压/过压检测电路,用于电池供电设备的电压状态判断(如15 V铅酸电池或工业电源监测)。

该器件具备低动态阻抗、良好温度稳定性(TC ≈ ±0.07%/°C)及AEC-Q200认证(适用于汽车电子),广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子(如车身控制模块)及通信设备中。需注意:实际应用中应校核功耗(P = Vz × Iz),避免持续超200 mW,并建议串联限流电阻以确保工作在安全区。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 15V 225MW SOT23-3

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MMBZ5245ELT3G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 11V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

功率-最大值

225mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

工作温度

-55°C ~ 150°C

标准包装

10,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

15V

阻抗(最大值)(Zzt)

16 欧姆

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