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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5239BTS-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5239BTS-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5239BTS-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5239BTS-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5239BTS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5239BTS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5239BTS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的双路齐纳二极管阵列（SOT-363封装），标称齐纳电压为9.1V（±5%），额定功率为200mW/通道，最大测试电流为20mA。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗便携设备（如蓝牙耳机、智能手环、传感器节点）中，为ADC参考源、LDO反馈网络或MCU复位电路提供稳定基准电压。 2. ESD保护与过压钳位：利用其快速响应特性（反向击穿陡峭），常用于I²C、UART等低压数字接口的瞬态电压抑制（TVS功能），配合主ESD器件实现二级防护。 3. 电源轨箝位与浪涌吸收：在3.3V/5V系统中，对敏感模拟前端（如运放输入、传感器供电端）进行反向过压保护，防止电源反接或感应尖峰损坏器件。 4. 双通道独立保护设计：SOT-363封装内集成两个独立齐纳单元，适用于需冗余保护或双信号线同步钳位的场合（如差分信号对、双路传感器输出）。 该器件具有低泄漏电流（≤1μA @ VR）、良好温度稳定性（TCZ ≈ ±0.07%/°C）及AEC-Q200认证（部分批次），亦可用于车规级信息娱乐系统中的辅助电源监控模块。注意：不可替代大能量TVS，仅适用于低能量瞬变防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER TRIPLE 9.1V SOT363 |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5239BTS-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 配置 | 3 个独立式 |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
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