Datasheet下载- 型号： MMBZ5239BLT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5239BLT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5239BLT3G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5239BLT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5239BLT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5239BLT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5239BLT3G是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为9.1V（容差±5%），额定功率为225mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O端口提供稳定基准电压； 2. 过压保护（Clamping）：与TVS或限流电阻配合，钳位信号线（如通信接口RS-232、I²C、GPIO）瞬态过压，防止后级IC损坏； 3. 电源轨箝位：在3.3V/5V系统中对9V电池供电或LDO输出进行冗余稳压，抑制纹波或浪涌； 4. 反馈电路：用于开关电源（如DC-DC转换器）的次级侧电压反馈网络，辅助实现精确输出调节； 5. ESD防护辅助器件：与主ESD保护器件协同工作，提升系统级静电放电鲁棒性。 该器件具备低动态阻抗（约10Ω）、快速响应（纳秒级）及良好温度稳定性（TC ≈ +0.075%/°C），适用于消费电子、工业控制、汽车电子（AEC-Q200认证，满足车载信息娱乐及车身模块要求）及物联网终端设备。需注意：不可替代高功率稳压需求，设计时应校核功耗（P = Vz × Iz）并确保散热条件满足SOT-23封装限制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5239BLT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
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