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产品简介:
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MMBZ5235ELT1是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为6.8 V(典型),容差±5%,最大功率耗散为300 mW(在环境温度25℃下),采用SOT-23封装。其主要应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:用于低功耗电路中提供稳定参考电压,如电源监控、ADC/DAC基准源、传感器信号调理电路等; 2. 过压保护(OVP)与ESD钳位:配合TVS或作为简易钳位器件,保护敏感IC(如MCU、通信接口)免受瞬态电压冲击; 3. 电源轨箝位与反馈控制:在LDO或开关电源的反馈网络中辅助设定输出电压,或限制特定节点电压不超过安全阈值; 4. 逻辑电平转换与限幅:在数字接口(如I²C、UART)中限制信号摆幅,防止超压损坏接收端; 5. 消费电子与便携设备:因SOT-23小尺寸、低功耗特性,广泛应用于手机、TWS耳机、可穿戴设备及IoT模块中的板级稳压与保护电路。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性(TC约±0.05%/°C)和快速响应能力,适用于对空间和功耗敏感的中低电流(≤20 mA)稳压场景,但不适用于大电流或高精度基准需求(此时建议选用带隙基准IC)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | MMBZ5235ELT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ5235ELT1OS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 5 欧姆 |