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产品简介:
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MMBZ5232BLT3G 是安森美(onsemi)推出的SOT-23封装、单颗齐纳二极管,标称稳压值为5.1V(容差±5%),最大功率耗散为200mW,典型测试电流为20mA。其主要应用场景包括: 1. 低功耗电压基准与稳压:适用于便携式设备(如TWS耳机、智能手环、传感器节点)中为MCU、ADC或参考源提供稳定5.1V基准电压,尤其在空间受限、功耗敏感的场合。 2. ESD保护与过压钳位:内置低动态阻抗(约17Ω),可配合TVS或作为简易输入端钳位器件,抑制瞬态过压(如I²C/SPI总线、按键接口、电池检测电路中的浪涌或反向电压)。 3. 电源轨监控与反馈:常用于LDO或DC-DC反馈分压网络中,替代精密基准IC以降低成本;也可用于电池电压检测(如锂电3.0–4.2V系统中通过电阻分压后钳位至5.1V,供MCU ADC安全采样)。 4. 信号电平转换与限幅:在模拟前端中限制运放输入/输出摆幅,防止后级器件过压损坏;或用于逻辑电平适配(如3.3V系统与5V接口间简单钳位)。 注:因其功率较小,不适用于大电流稳压场景;实际设计需注意PCB散热、串联限流电阻选型及温度漂移(TC≈+2mV/°C)。广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子(非安全关键模块)等对成本与尺寸要求较高的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.6V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5232BLT3G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.6V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 11 欧姆 |