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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5231B-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5231B-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5231B-7价格参考。Diodes Inc.MMBZ5231B-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5231B-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5231B-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5231B-7 是德州仪器（Texas Instruments）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为5.1V（典型），容差±5%，最大功率耗散为200mW，采用SOT-23封装。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或微控制器系统中，为ADC参考电压、传感器供电或LDO反馈网络提供稳定基准电压。 2. 过压保护/ESD钳位：常与TVS或串联限流电阻配合，用于I/O端口（如UART、GPIO、按键输入）的瞬态抑制和静电防护，将电压钳位于5.1V附近，防止后级IC损坏。 3. 电源轨箝位与电平转换辅助：在3.3V/5V混合逻辑系统中，协助实现简单电平适配或作为线性稳压器的误差检测基准。 4. 低成本分立稳压方案：适用于对精度要求不高、电流较小（≤20mA）的便携设备（如遥控器、IoT传感器节点）中，替代低压差稳压器以简化设计、降低成本。 需注意：该器件为齐纳击穿型，动态阻抗较高，不适用于高精度或大电流稳压场合；实际应用中应合理计算功耗并确保散热条件满足额定功率限制。TI已将部分齐纳产品线转移至Diodes Incorporated等合作伙伴代工，但型号兼容性及电气参数保持一致。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.1V 350MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5231B-7 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBZ5231B |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 17 欧姆 |
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