【未分类_MMBZ5230ELT3G】封装/厂家_MMBZ5230ELT3G中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MMBZ5230ELT3G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5230ELT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5230ELT3G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5230ELT3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMBZ5230ELT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5230ELT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5230ELT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为4.7 V（容差±5%），额定功率为300 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括：

1. 电压基准与参考：在低功耗模拟电路、传感器信号调理或ADC/DAC参考源中，提供稳定、低成本的4.7 V基准电压。

2. 过压保护（箝位）：常用于I/O端口、通信接口（如UART、I²C）或MCU引脚前端，将瞬态电压箝位至4.7 V附近，防止后级器件因ESD或浪涌受损。

3. 电源稳压/分压调节：在非精密、小电流场合（如偏置电路、LED驱动限流反馈）中，配合限流电阻实现简易稳压，适用于待机电流<10 mA的场景。

4. 逻辑电平转换与兼容：在3.3 V系统与5 V系统互连时，辅助实现电平容限匹配或输入保护。

5. 消费电子与便携设备：广泛应用于手机、可穿戴设备、IoT模块等空间受限、成本敏感的设计中，得益于其小尺寸（SOT-23）、低泄漏电流（≤5 µA @ 3.8 V）和良好温度稳定性。

注意：该器件不适用于大电流或高精度稳压场合（需外加散热或选用更高功率/更低容差型号）。设计时须严格遵守最大反向电流（IZM ≈ 65 mA）及功率限制，并配合适当限流电阻使用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3
产品分类	单二极管/齐纳
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMBZ5230ELT3G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	900mV @ 10mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	5µA @ 2V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值	225mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
容差	±5%
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
工作温度	-55°C ~ 150°C
标准包装	10,000
电压-齐纳（标称值）(Vz)	4.7V
阻抗（最大值）(Zzt)	19 欧姆