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产品简介:
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MMBZ5230C-HE3-08 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 推出的一款表面贴装(SMD)齐纳二极管,标称稳压值为4.7 V(典型值),容差±5%,最大功率耗散为250 mW(在Tamb=25°C下),采用SOT-23封装。其典型应用场景包括: 1. 低电压稳压与参考源:适用于便携式设备(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)中为传感器、ADC基准、MCU复位电路等提供稳定4.7 V参考电压。 2. 过压保护(Clamping):常用于I/O端口或信号线的ESD/瞬态电压抑制,配合TVS或限流电阻,钳位异常电压至安全范围(如USB、GPIO、按键接口)。 3. 电源轨箝位与分压反馈:在LDO或DC-DC转换器的反馈网络中辅助设定输出电压;或用于电池供电系统中监测/限制电压(如锂电保护板中的电压检测节点)。 4. 低成本替代方案:因SOT-23小尺寸、高可靠性及符合AEC-Q200(部分批次)标准,亦见于汽车电子非关键模块(如车身控制模块中的灯光驱动反馈回路)。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性(TC ≈ +2 mV/°C)及优异ESD耐受能力(IEC 61000-4-2 Level 4),适合空间受限、功耗敏感的消费类与工业级应用。注意设计时需校核功耗(P = VZ × IZ)并确保散热条件满足降额要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 2% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5230C-HE3-08 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 3,000 |