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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5230BW-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5230BW-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5230BW-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5230BW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5230BW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5230BW-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压: MMBZ5230BW-7-F 的齐纳击穿电压为 3.0V,适合用于低电压稳压电路中,为敏感的电子元件提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以确保输出电压在一定范围内波动较小。 2. 过压保护: 在电路设计中,该齐纳二极管可用于防止输入电压过高而损坏后级电路。例如,在传感器接口或通信线路中,它可以将电压钳位到安全水平,避免因瞬态高压导致设备故障。 3. 信号电平转换: 在信号处理电路中,MMBZ5230BW-7-F 可用于将输入信号限制在特定的电压范围内,从而实现信号电平的调整和保护。 4. 基准电压源: 由于其稳定的齐纳电压特性,该二极管可以用作简单且低成本的基准电压源,适用于对精度要求不高的应用场合,如比较器电路、ADC/DAC 基准等。 5. ESD 保护: 在一些需要抗静电能力的场景中,齐纳二极管可以用来吸收静电放电能量,保护敏感的半导体器件。 6. 音频电路中的限幅: 在音频放大器或其他模拟信号电路中,MMBZ5230BW-7-F 可以用作信号限幅器,防止信号幅度超出预期范围,从而避免失真或损坏。 总之,这款齐纳二极管凭借其小型化封装(SOD-882)和低功率特性,非常适合应用于便携式设备、消费电子产品以及需要高密度集成的设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 200MW SOT323稳压二极管 4.7V 200mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5230BW-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5230BW-7-F |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | MMBZ5230BW-FDITR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 19 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.7V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5230B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 19 欧姆 |
| 齐纳电压 | 4.7 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |