Datasheet下载- 型号： MMBZ5229ELT1
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5229ELT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5229ELT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ5229ELT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5229ELT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5229ELT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5229ELT1是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为3.6 V（典型值），容差±5%，最大功率耗散为200 mW（在环境温度25℃下），采用SOT-23封装。其主要应用场景包括： 1. 低电压稳压与基准源：适用于3.3 V或3.6 V供电系统的板级电压箝位与参考电压生成，如微控制器I/O端口保护、ADC/DAC基准电路等。 2. ESD与瞬态过压保护：凭借快速响应（纳秒级）和低动态阻抗特性，常用于USB、I²C、GPIO等低压信号线的静电放电（IEC 61000-4-2 Level 4）防护，配合TVS或作为辅助钳位器件。 3. 电源轨箝位与反馈调节：在LDO或DC-DC转换器的反馈分压网络中提供精确稳压点；也可用于电池供电设备（如可穿戴设备、传感器节点）中对3.3 V系统进行过压限幅。 4. 消费电子与便携设备：广泛应用于智能手机、TWS耳机、智能手表等空间受限产品中，实现低成本、小尺寸的电压稳定与接口保护。 该器件具备良好的温度稳定性（TC ≈ +0.05%/°C）、低漏电流（IR ≤ 5 µA @ VR）及高可靠性，符合AEC-Q200（车载等级）标准，亦可用于汽车电子中的非安全关键低压电路（如信息娱乐系统外围）。需注意其功率限制，不适用于大电流稳压场景，建议配合限流电阻使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.3V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5229ELT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5229ELT1OS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
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