Datasheet下载- 型号： MMBZ5228ELT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5228ELT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5228ELT3G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5228ELT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5228ELT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5228ELT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5228ELT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为3.9 V（容差±5%），最大功率为300 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 低电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、比较器阈值设定）提供稳定基准电压； 2. 过压保护（OVP）与ESD钳位：与TVS或串联限流电阻配合，用于I/O端口、按钮输入、通信接口（如I²C、UART）的瞬态电压抑制和静电防护； 3. 电源轨箝位：在3.3 V系统中防止电压异常升高（如LDO输出波动、热插拔冲击），保护后级MCU或逻辑器件； 4. 低成本电压检测/指示电路：结合限流电阻构成简易欠压/过压指示器或复位电路（需配合施密特触发器使用）； 5. 便携式与空间受限设备：得益于SOT-23小尺寸及高可靠性，广泛应用于智能手机、可穿戴设备、IoT节点、电池供电仪表等。 该器件具有低动态阻抗（约25 Ω）、快速响应（纳秒级）及AEC-Q200认证（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块辅助电路）。注意：不适用于大电流稳压场景，设计时需校核功耗与温度降额。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.9V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5228ELT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.9V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 23 欧姆 |
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