| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5227BS-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5227BS-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5227BS-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5227BS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5227BS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5227BS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的一款双路齐纳二极管阵列(SOT-363 封装),标称齐纳电压为 3.3 V(典型值),容差 ±5%,功耗 200 mW/通道。其典型应用场景包括: 1. 低电压稳压与参考:为微控制器、传感器或模拟电路提供稳定的 3.3 V 基准电压,适用于对成本和空间敏感的便携式设备(如 IoT 节点、可穿戴设备)。 2. ESD 保护与过压钳位:集成在数据线(如 I²C、UART、USB 信号线)前端,利用其快速响应特性(齐纳击穿)吸收瞬态浪涌,配合 TVS 或限流电阻实现低成本 ESD 防护(IEC 61000-4-2 Level 2/3)。 3. 电源轨箝位与电压限制:用于 LDO 输出后级或 MCU I/O 口,防止因电源波动或热插拔导致的过压损伤,尤其适合 3.3 V 系统中对输入电压敏感的逻辑接口。 4. 双通道冗余设计:SOT-363 内含两个独立齐纳管,可分别用于 VDD 监测与信号线保护,节省 PCB 面积,提升系统集成度。 该器件具备小尺寸、低漏电流(<5 µA @ 1 V)、良好温度稳定性(TC ≈ +2 mV/°C)及 AEC-Q200 认证(部分批次),亦适用于汽车电子中的车身控制模块等非安全关键应用。需注意:不适用于大电流稳压,仅限低功耗钳位/基准场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 3.6V SOT363稳压二极管 3.6V 200mW |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5227BS-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5227BS-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 15µA @ 1V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Diode - Zener Dual |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMBZ5227BS-FDITR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 15 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 24 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.6V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5227B |
| 配置 | Dual Anti Parallel |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 24 欧姆 |
| 齐纳电压 | 3.6 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |