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- 型号： MMBZ5226ELT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5226ELT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5226ELT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ5226ELT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5226ELT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5226ELT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5226ELT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为3.3 V（容差±5%），功率额定值为225 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 低电压稳压与参考源：为微控制器、传感器或模拟电路提供稳定的3.3 V基准电压，适用于对精度要求不高的低成本系统。 2. 过压保护（钳位）：常用于I/O端口或信号线（如USB、UART、GPIO）的ESD/瞬态抑制，配合TVS或限流电阻，将异常电压钳位于3.3 V附近，防止后级IC损坏。 3. 电源轨箝位与电平转换辅助：在3.3 V逻辑系统中，用于限制信号摆幅、消除负向过冲或实现简易双向电平适配。 4. 分立式反馈电路：在DC-DC转换器（如LDO或开关电源）的反馈网络中，作为低成本稳压元件参与电压设定。 5. 消费电子与工业控制板：广泛应用于打印机、机顶盒、智能电表、PLC模块等对成本敏感、空间受限且需基础稳压/保护功能的嵌入式设备。 该器件具有低泄漏电流（≤5 µA @ 1 V）、快速响应及良好温度稳定性，但不适用于高精度或大电流稳压场景——此时建议选用带隙基准或专用稳压IC。设计时需注意功耗限制（≤225 mW）及散热条件，避免持续满载工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5226ELT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 25µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5226ELT1OS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 28 欧姆 |
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