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- 型号： MMBZ5226BW-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5226BW-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5226BW-7价格参考。Diodes Inc.MMBZ5226BW-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5226BW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5226BW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5226BW-7 是 Diodes Incorporated 推出的一款小型表面贴装齐纳二极管，采用 SOD-323 封装，标称齐纳电压为 3.3 V（典型值），容差 ±5%，最大功率耗散为 200 mW。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：常用于低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O端口提供稳定基准电压，尤其适用于3.3 V供电系统中的过压钳位与电平箝位。 2. ESD保护与瞬态抑制：凭借快速响应（纳秒级）和低钳位电压特性，可作为I/O接口（如USB、GPIO、按键、通信线路）的二级ESD防护器件，配合TVS或前端限流电阻使用，吸收±8 kV接触放电等静电冲击。 3. 逻辑电平转换与信号限幅：在3.3 V与更低电压（如1.8 V）系统间作双向电平适配时，利用其击穿特性限制信号摆幅，防止后级器件过压损坏。 4. 电源轨监控与复位电路辅助：配合电压检测IC或分立RC网络，实现简易上电复位或欠压指示功能。 该器件具有优异的温度稳定性（齐纳电压温度系数约+2 mV/°C）、低泄漏电流（≤5 µA @ 1 V）及高可靠性，广泛应用于消费电子（TWS耳机、智能穿戴）、工业控制模块、物联网终端及汽车电子（非安全关键区域）等空间受限、成本敏感的便携式设备中。需注意其功率能力有限，不适用于大电流稳压场合，设计时应确保工作电流在1–20 mA推荐范围内，并预留足够散热余量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.3V 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5226BW-7 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 25µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | MMBZ5226BW |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 28 欧姆 |
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