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产品简介:
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MMBZ5225BLT1 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为3.0 V(典型值),容差±5%,最大功率耗散为300 mW(在指定散热条件下),采用SOT-23封装,体积小、响应快、可靠性高。 其典型应用场景包括: ✅ 低压电源稳压与电压基准:用于3.3 V或3.0 V系统中为传感器、ADC参考源、MCU复位电路等提供稳定基准电压; ✅ 过压保护(钳位/箝位):并联于敏感IC(如I²C总线、GPIO引脚、通信接口)两端,在瞬态浪涌(ESD、EFT)时快速导通,将电压钳位在约3.0–3.6 V(考虑动态阻抗和电流),配合TVS或限流电阻实现低成本静电防护; ✅ 信号电平转换与限幅:在模拟前端或逻辑电平适配电路中,限制输入信号幅值,防止后级器件过压损坏; ✅ 低成本稳压替代方案:适用于对精度要求不高、电流较小(≤20 mA)的辅助供电或偏置电路,如LED恒流驱动中的基准设定、运放偏置网络等。 注意:该器件属通用齐纳,非低噪声或高精度基准,不推荐用于精密测量或高稳定性要求场合;使用时需确保功耗在安全范围内,并考虑温度系数(约−1.7 mV/°C)对稳压值的影响。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5225BLT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ5225BLT1OSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 29 欧姆 |