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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5225B-E3-18
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5225B-E3-18由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5225B-E3-18价格参考。VishayMMBZ5225B-E3-18封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5225B-E3-18参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5225B-E3-18 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5225B-E3-18 是 Vishay Intertechnologies 推出的一款表面贴装（SMD）齐纳二极管，标称稳压值为3.0 V（容差±5%），最大功率耗散为300 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 低电压基准与稳压：为微控制器、传感器或模拟电路提供稳定的3.0 V参考电压，适用于对成本和空间敏感的便携式设备（如可穿戴设备、IoT节点）。 2. 过压保护与ESD钳位：配合TVS或串联限流电阻，用于I/O端口或电源输入端的瞬态电压抑制，防止3.3 V系统因浪涌或静电损坏。 3. 电源轨箝位与电平转换辅助：在逻辑电平接口中限制信号电压不超过3.0 V，避免后级器件（如ADC输入、GPIO）过压；也可用于简化低压LDO的反馈网络或替代精密基准源（在精度要求不苛刻时）。 4. 消费电子与工业控制：广泛应用于智能手机充电管理模块、电池供电仪表、PLC输入调理电路及LED驱动恒流源的偏置稳压等场景。 该器件具有低漏电流（IR ≤ 10 µA @ 2.25 V）、快速响应及良好温度稳定性（TC ≈ ±0.075%/°C），适合-65°C至+150°C宽温工作环境。需注意：不可长期满功率工作，建议降额使用以确保可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 5% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5225B-E3-18 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 10,000 |
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