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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5225B-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5225B-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5225B-7价格参考。Diodes Inc.MMBZ5225B-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5225B-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5225B-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5225B-7 是 Diodes Incorporated 推出的一款小信号齐纳二极管（单管），标称稳压值为3.0V（典型值，容差±5%），功率额定值为300mW（SOT-23封装），最大测试电流IZT为20mA，动态电阻低（典型值150Ω），反向漏电流小（IR ≤ 10μA @ VR=1.0V）。 其典型应用场景包括： ✅ 低压电源稳压与基准电压源：在3.3V或5V系统中为微控制器、传感器、ADC/DAC等提供稳定参考电压（如分压+齐纳稳压构成简易基准）。 ✅ 过压保护与ESD钳位：并联于敏感I/O引脚（如USB、GPIO、通信接口），在瞬态过压（如ESD、浪涌）时快速导通，将电压钳位在≈3.0V附近，配合限流电阻实现低成本静电防护。 ✅ 电压检测与阈值设定：用于电池电压监测（如3V锂电欠压告警）、电源上电复位（POR）电路中的电压阈值判断。 ✅ 模拟电路偏置与箝位：在运算放大器输入端、信号调理电路中作直流偏置或交流信号峰值箝位，防止信号越界。 该器件采用SOT-23贴片封装，体积小、响应快、温度系数适中（约±0.04%/°C），适用于空间受限的便携式设备（如TWS耳机、可穿戴设备、IoT传感器节点）及工业控制板卡等对成本、尺寸和可靠性有要求的场景。需注意设计时合理选配限流电阻，确保功耗不超限，并考虑温度对稳压精度的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3V 350MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5225B-7 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 30 欧姆 |
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