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- 型号： MMBZ5221ELT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5221ELT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5221ELT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ5221ELT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5221ELT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5221ELT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5221ELT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为2.4 V（典型值），容差±5%，最大功率耗散为250 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 低电压稳压与基准源：适用于3.3 V或更低电源系统中的精密电压基准，如为ADC、传感器或运放提供稳定参考电压。 2. 过压保护（OVP）与ESD钳位：常用于I/O端口或信号线（如USB、GPIO、按键输入等）的瞬态电压抑制，配合TVS或串联限流电阻，快速钳位至2.4 V，防止后级IC因浪涌或静电损坏。 3. 逻辑电平转换/箝位：在混合电压系统（如1.8 V MCU与3.3 V外设通信）中，用作电平箝位器件，限制信号高电平不超过2.4 V，避免高电平误触发或损伤低压器件。 4. 电池供电设备低功耗管理：因其低击穿电压和小封装，适用于纽扣电池（如CR2032）、可穿戴设备及IoT节点中对微功耗、小尺寸要求严苛的电压监测与保护电路。 需注意：该器件为齐纳模式工作，设计时应确保反向电流在推荐范围内（通常5–20 mA），并考虑温度系数（约+2 mV/°C）对精度的影响；不适用于大电流稳压，建议搭配限流电阻使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 2.4V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5221ELT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5221ELT1OS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 2.4V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 30 欧姆 |
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