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- 型号： MMBZ20VALT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ20VALT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ20VALT3G价格参考。ON SemiconductorMMBZ20VALT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ20VALT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ20VALT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ20VALT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路的静电放电（ESD）防护和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为20V（VRWM=17.1V，VBR=19–21V），峰值脉冲功率达200W（1ms指数波形），响应时间小于1ns，具备优异的ESD耐受能力（IEC 61000-4-2 Level 4：±30kV接触放电/±30kV空气放电）。 典型应用场景包括： - 通信接口保护：如USB 2.0/3.0、RS-232/485、CAN总线、I²C、SPI等高速或低速信号线，防止插拔、热插拔或雷击感应引入的瞬态干扰； - 消费电子设备：智能手机、平板电脑、可穿戴设备中对按键、触摸屏、音频接口、SIM卡槽等易受人体静电影响部位的ESD防护； - 工业控制与传感器接口：PLC输入/输出端口、温度/压力传感器信号线、编码器接口等，抵御现场电磁干扰及电源耦合浪涌； - 汽车电子辅助系统：车载信息娱乐系统（IVI）、车身控制模块（BCM）中的非关键低压信号线（符合AEC-Q101认证，适用于12V车载环境）； - 电源输入端初级防护：配合MOV或PTC用于5V/3.3V等低压直流电源轨（如LDO前端），抑制开关噪声或反向电动势。 该器件采用SOT-23封装，体积小、贴装密度高，适合空间受限的便携式设备。需注意：其钳位电压（Vc≈33V@Ipp=6A）决定了后级IC需具备相应耐压裕量；不适用于持续过压或大能量浪涌（如AC电源主路），应作为二级防护器件协同使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 17VWM 28VC SOT23 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ20VALT3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-峰值脉冲 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 19V |
| 电压-反向关态（典型值） | 17V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 28V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1.4A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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