数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ12VALT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ12VALT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ12VALT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ12VALT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ12VALT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ12VALT1 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 TVS 二极管(瞬态电压抑制二极管)。该型号属于低电容 TVS 二极管系列,主要应用于保护电子设备免受瞬态电压的损害。以下是其典型应用场景: 1. 通信接口保护 - MMBZ12VALT1 可用于保护各种通信接口,例如 USB、RS-232、RS-485、CAN 总线和以太网等。 - 其低电容特性(典型值为 4 pF)使其非常适合高速数据传输线路,能够有效抑制静电放电(ESD)、雷击感应浪涌和其他瞬态电压。 2. 消费类电子产品 - 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中,该 TVS 二极管可用于保护音频接口、充电接口和显示屏信号线。 - 它能防止因用户操作不当或外部环境干扰导致的电压瞬变。 3. 汽车电子系统 - 适用于汽车电子控制单元(ECU)、车载信息娱乐系统、传感器接口和 CAN/LIN 总线等场景。 - 提供对负载突降(Load Dump)、启动瞬变和 ESD 的防护,确保车辆电子系统的可靠性和安全性。 4. 工业自动化设备 - 在工业环境中,MMBZ12VALT1 可用于保护可编程逻辑控制器(PLC)、传感器、伺服驱动器和通信模块。 - 防止因电磁干扰(EMI)、电机开关或其他电气设备产生的瞬态电压对敏感电路造成损坏。 5. 电源和电池管理系统 - 用于保护充电电路、DC-DC 转换器和电池管理系统(BMS),防止过压和反向电压造成的损害。 - 特别适合锂电池保护电路,避免因外部短路或不正确的充电操作引发的安全隐患。 6. 医疗设备 - 在便携式医疗设备(如血糖仪、心率监测器)中,提供对敏感信号线路的保护。 - 确保设备在复杂电磁环境下仍能正常运行,同时符合相关的安全标准。 技术特点总结: - 反向关断电压:12 V,适合低压应用。 - 峰值脉冲电流:可达 1.1 A(典型值),提供较强的瞬态抑制能力。 - 低电容设计:减少对高速信号的影响。 - 小型封装:SOD-323 封装,节省 PCB 空间。 综上所述,MMBZ12VALT1 是一款高性能的 TVS 二极管,广泛应用于需要瞬态电压保护的各种电子设备中,尤其是在高速信号线路和低电压系统中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护 |
描述 | TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23 |
产品分类 | TVS - 二极管 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MMBZ12VALT1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同频率时的电容 | - |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBZ12VALT1OS |
功率-峰值脉冲 | 40W |
包装 | 带卷 (TR) |
单向通道 | 2 |
双向通道 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
应用 | 通用 |
标准包装 | 3,000 |
电压-击穿(最小值) | 11.4V |
电压-反向关态(典型值) | 8.5V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 17V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 2.35A |
电源线路保护 | 无 |
类型 | 齐纳 |