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- 型号： MMBV2108LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBV2108LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBV2108LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBV2108LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBV2108LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBV2108LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ONS品牌（实为ON Semiconductor，安森美半导体）的MMBV2108LT1G是一款SOT-23封装的硅PIN二极管型可变电容二极管（Varactor Diode），常用于高频调谐与频率控制电路。其典型应用场景包括： 1. VCO（压控振荡器）调谐回路：利用其结电容随反向偏压变化的特性（Cj ≈ 2.5–12 pF，0–28 V），实现射频/微波频段（如UHF、ISM频段）的频率精细调节； 2. 电子调谐滤波器与匹配网络：在手机前端模块、Wi-Fi/蓝牙收发器中动态补偿天线阻抗或优化带通特性； 3. 自动频率控制（AFC）与锁相环（PLL）系统：作为环路中的可变电容元件，辅助稳定输出频率； 4. RF开关与衰减器辅助调谐：配合PIN二极管实现宽带阻抗匹配。 该器件具有低串联电阻（Rs < 1.5 Ω）、高Q值（>100 @ 100 MHz）、良好温度稳定性及小尺寸SOT-23封装，适用于空间受限的便携式无线设备（如智能手机、IoT终端、遥控器）。需注意：必须工作于反向偏置状态，且避免正向导通；典型偏压范围为1–28 V，设计时应加隔离电容和偏置扼流圈以防止射频信号泄漏。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE TUNING SS 30V SOT-23 |
| 产品分类 | 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBV2108LT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Vr、F时的Q值 | 300 @ 4V，50MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 29.7pF @ 4V，1MHz |
| 二极管类型 | 单一 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 30V |
| 电容比 | 3.2 |
| 电容比条件 | C2/C30 |
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