【未分类_MMBV2108LT1】封装/厂家_MMBV2108LT1中文资料_价格

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型号： MMBV2108LT1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBV2108LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBV2108LT1价格参考。ON SemiconductorMMBV2108LT1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMBV2108LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBV2108LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ONS（原ON Semiconductor，现为onsemi）的MMBV2108LT1是一款SOT-23封装的硅超突变结可变电容二极管（Varactor Diode），专为高频调谐应用优化。其典型结电容范围约为2.5–25 pF（随反向偏压0.5–20 V变化），Q值高、串联电阻低、电容变化率（C-ratio）优异，且具备良好的温度稳定性。

主要应用场景包括：  
1. 电压控制振荡器（VCO）：在无线通信模块（如蓝牙、Wi-Fi 2.4 GHz前端、ISM频段收发器）中，作为调谐元件实现频率精确调节；  
2. 电子调谐滤波器与匹配网络：用于射频前端的自动阻抗匹配（如PA输出匹配、天线调谐），提升发射效率与接收灵敏度；  
3. 锁相环（PLL）频率合成器：配合压控振荡器实现快速、低相噪的频率切换，常见于对讲机、智能电表、遥控设备等；  
4. FM调制/解调电路：在简易无线音频传输或传感器无线唤醒系统中提供线性调谐特性。

该器件因小尺寸（SOT-23）、无铅兼容及AEC-Q200兼容版本可选，亦适用于空间受限的消费电子与工业物联网节点。需注意：须施加反向偏置（禁止正向导通），并避免电压超限（最大VR=30 V），推荐使用低噪声偏置网络以抑制调谐噪声。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE TUNING SS 30V SOT-23
产品分类	可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管）
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMBV2108LT1
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Vr、F时的Q值	300 @ 4V，50MHz
不同 Vr、F时的电容	29.7pF @ 4V，1MHz
二极管类型	单一
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	3,000
电压-峰值反向（最大值）	30V
电容比	3.2
电容比条件	C2/C30