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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA64LT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA64LT1价格参考。ON SemiconductorMMBTA64LT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBTA64LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBTA64LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBTA64LT1 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。它广泛应用于各种电子电路中,适用于需要高增益和高频响应的场景。 该晶体管常用于以下应用场景: 1. 信号放大:由于其良好的频率响应特性,MMBTA64LT1常用于音频和射频信号放大电路中,如前置放大器、功率放大器等。 2. 开关电路:在数字电路或电源控制中,作为高速开关元件使用,例如驱动LED、继电器、小型电机等负载。 3. 射频(RF)应用:适合工作在高频环境下,常见于无线通信设备中的射频放大模块。 4. 消费电子产品:如手机、耳机放大器、便携式音频设备等,因其封装小巧、性能稳定而被广泛采用。 5. 工业控制系统:用于传感器信号处理、自动控制回路中的信号调节与放大。 MMBTA64LT1采用SOT-23小外形封装,适合高密度PCB布局,具备较好的热稳定性和可靠性,适用于各类中低功率电子系统设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS SS DARL PNP 30V SOT23 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MMBTA64LT1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.5V @ 100µA, 100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20000 @ 100mA,5V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBTA64LT1OSCT |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
标准包装 | 10 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
频率-跃迁 | 125MHz |