Datasheet下载- 型号： MMBT6520LT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT6520LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT6520LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBT6520LT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBT6520LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT6520LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（现为安森美半导体）的MMBT6520LT3G是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于低噪声、小信号晶体管类别。它具有较高的电流增益和良好的频率特性，适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器 MMBT6520LT3G因其低噪声特性和高增益性能，适合用于音频信号的前置放大或中频放大。它可以提升音频信号的质量，同时保持较低的失真。 2. 射频（RF）电路 该晶体管具有较高的截止频率（ft），使其能够在射频应用中作为小信号放大器使用，例如在无线通信设备或无线电接收器中的低噪声放大（LNA）阶段。 3. 开关电路 在数字逻辑电路或脉宽调制（PWM）应用中，MMBT6520LT3G可以用作开关元件。它的快速开关速度和低饱和电压使其成为驱动小型负载的理想选择。 4. 传感器信号调理 在传感器接口电路中，该晶体管可用于放大微弱的传感器输出信号，例如温度传感器、压力传感器或光电二极管的信号。 5. 混频器与振荡器 凭借其高频特性和稳定性，MMBT6520LT3G可以用于设计混频器或振荡器电路，广泛应用于通信系统和测试设备。 6. 通用放大器 它可以用作多级放大器中的第一级或中间级，提供高增益以放大输入信号。由于其低噪声特性，非常适合需要高保真度的应用。 7. 电池管理与保护电路 在便携式设备中，该晶体管可用于电池充电监测或过流保护电路，确保系统的安全运行。 总之，MMBT6520LT3G以其出色的电气性能和可靠性，成为消费电子、通信设备、工业控制等领域中小信号放大的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 350V 500MA SOT-23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBT6520LT3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 50mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 350V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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