Datasheet下载- 型号： MMBT6520LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT6520LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT6520LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBT6520LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBT6520LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT6520LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT6520LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型。其主要应用场景包括但不限于以下方面： 1. 信号放大 - MMBT6520LT1G 可用于音频、射频和其他低功率信号的放大电路中，适用于需要高增益和低噪声的应用场景。 - 典型应用包括麦克风前置放大器、无线通信设备中的小信号放大等。 2. 开关电路 - 作为电子开关使用，该晶体管可用于控制 LED、继电器或其他低功率负载的通断。 - 常见于消费电子设备、家用电器以及工业自动化控制系统中。 3. 电源管理 - 在直流-直流转换器或线性稳压器中充当电流调节元件，帮助实现稳定的电压输出。 - 适用于电池供电设备或便携式电子产品中的电源管理模块。 4. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，能够提供足够的驱动电流以启动和控制电机运行。 - 适合玩具、打印机、扫描仪等需要简单电机控制的应用。 5. 脉宽调制 (PWM) 控制 - 在 PWM 调光或调速电路中，MMBT6520LT1G 可用作功率级驱动器，调节输出功率以满足特定需求。 - 广泛应用于 LED 照明、风扇速度控制等领域。 6. 保护电路 - 在过流保护、短路保护等电路设计中，该晶体管可以检测异常电流并触发保护机制。 - 例如，在充电器或适配器中防止过载损坏。 特性优势： - 高增益：适合需要高电流放大倍数的应用。 - 低饱和电压：有助于提高效率，减少功耗。 - 小型封装（SOT-23）：便于集成到紧凑型电路板中，适合便携式设备。 综上所述，MMBT6520LT1G 是一款性能稳定且应用广泛的通用型 NPN 晶体管，适用于多种低功率电子电路的设计与实现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS SS PNP 350V HV SOT23两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT6520LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT6520LT1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 50mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBT6520LT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 350V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | MMBT6520L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 350 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 350 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 1 V |
| 集电极连续电流 | - 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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