Datasheet下载- 型号： MMBT5770
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT5770由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT5770价格参考。Fairchild SemiconductorMMBT5770封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBT5770参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT5770 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT5770 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款通用NPN型双极结型晶体管（BJT），虽常被归类于射频（RF）晶体管系列，但其实际设计更侧重于高频小信号放大与开关应用，而非现代高频通信（如5G、Wi-Fi 6）中的高功率射频前端。其典型特征包括：fₜ（特征频率）约200 MHz，Vₚₕ（集电极-发射极击穿电压）为30 V，I꜀（最大集电极电流）为100 mA，采用SOT-23小型表面贴装封装。 主要应用场景包括： ✅ 中低频模拟信号放大：如音频前置放大、传感器信号调理（温度、光敏等微弱信号的初级放大）； ✅ 数字逻辑接口与开关电路：在微控制器（MCU）外围驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极，或实现电平转换/反相器功能； ✅ 消费电子与工业控制板卡：用于电源管理模块中的基准电压生成、电流检测放大、振荡器（如多谐振荡器）、简易调制解调电路等； ✅ 老式通信设备与AM/FM接收机：适用于中频（IF）级放大（455 kHz）或低频射频前端（<100 MHz），如无线话筒、遥控器、无绳电话基带电路。 需注意：MMBT5770不适用于高功率、高频率（>500 MHz）或严苛射频PA（功率放大器）场景，亦不具备低噪声（NF）或高增益（hFE）一致性优化，故在现代高性能射频设计中已被专用RF晶体管（如BFR92A）或GaAs器件替代。其优势在于成本低、供货稳定、易于设计、兼容性强，适合对性能要求适中、注重可靠性和量产性的通用电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF NPN SOT-23 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBT5770 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 3mA，1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10mA |
| 频率-跃迁 | 600MHz |
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