数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT5551M3T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT5551M3T5G价格参考。ON SemiconductorMMBT5551M3T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBT5551M3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT5551M3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT5551M3T5G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于通用开关和放大电路应用。该晶体管具有较高的最大集电极-发射极电压(VCEO达150V),适合中高电压场合使用。 其典型应用场景包括: 1. 开关电路:用于数字电路或功率控制电路中,作为电子开关使用,如驱动继电器、LED或小型电机等负载。 2. 放大电路:在音频、射频或模拟信号放大电路中作为前置放大器或中间级放大器使用,适用于小信号放大需求。 3. 电源管理:用于电源转换电路中,如DC-DC转换器、稳压电路或负载开关,实现对电流和电压的控制。 4. 接口电路:在微控制器或逻辑电路与高电压/高电流设备之间作为接口器件,实现电平转换或驱动能力增强。 5. 工业控制:广泛应用于工业自动化设备、传感器信号调理电路以及各类控制模块中。 该晶体管采用SOT-23封装,体积小,便于表面贴装,适用于消费电子、通信设备、汽车电子及工业控制等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 160V 60MA SOT-723两极晶体管 - BJT SOT-723 GP NPN TRANS |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT5551M3T5G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBT5551M3T5G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-723 |
功率-最大值 | 265mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-723 |
封装/箱体 | SOT-723 |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 640 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.06 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 160V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 60mA |
电流-集电极截止(最大值) | 50nA |
直流电流增益hFE最大值 | 80 at 1 mA at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V |
系列 | MMBT5551M3 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
集电极—基极电压VCBO | 180 V |
频率-跃迁 | - |